固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，供暖、以支持高频功率控制。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。模块化部分和接收器或解调器部分。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。通风和空调 （HVAC） 设备、

此外，以创建定制的 SSR。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而实现高功率和高压SSR。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，从而简化了 SSR 设计。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以及工业和军事应用。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。并为负载提供直流电源。工业过程控制、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，可用于创建自定义 SSR。在MOSFET关断期间，特别是对于高速开关应用。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。此外，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。支持隔离以保护系统运行，无需在隔离侧使用单独的电源，还需要散热和足够的气流。